场效应管(MOSFET) - J111-40V-50mA-N沟道开关
2020-03-30 16:05:32
冯必正
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名称：场效应管(MOSFET) - J111-40V-50mA-N沟道开关
该设备是为低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波稳定放大器设计的。源和漏是可互换的。
附件1：
场效应管(MOSFET) - J111-40V-50mA-N沟道开关.pdf
附件2：场效应管(MOSFET) - J111-40V-50mA-N沟道开关2.pdf
图一：场效应管(MOSFET) - J111-40V-50mA-N沟道开关 - 引脚定义及驱动