场效应管(MOSFET) - IRFR320-400V-4.1A-N-Channel
2020-03-30 16:27:18
冯必正
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名称:场效应管(MOSFET) - IRFR320-400V-4.1A-N-Channel
这是N通道增强模式硅门功率场效应晶体管。他们是先进的力量mosfet的设计、测试和保证能够承受a击穿雪崩模式下的指定能级的操作。所有这些功率场效应晶体管都是为应用如开关稳压器,开关转换器,电机驱动程序,继电器驱动程序,驱动程序为高功率双极开关晶体管需要高速和低栅驱动功率。
附件1:
场效应管(MOSFET) - IRFR320-400V-4.1A-N-Channel.pdf

图一:场效应管(MOSFET) - IRFR320-400V-4.1A-N-Channel - 引脚定义
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MOSFET - 杰力科技-EMB06N03A-30V-ID=80A-N-Channel-TO-252[2021-07-17 22:26:31]
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MOSFET - Alpha & Omega-AON7752-30V-16A-N-Channel-DFN-3X3MM[2021-08-07 23:24:32]
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MOSFET - Dual N-Channel - 杰力科技 - EMB17A03V - 30V,7A,17mΩ,EDFN-3X3MM[2021-11-17 19:34:21]
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MOSFET - 杰力科技-EMB09N03H-30V-ID=6.5A-N-Channel[2020-09-28 18:13:47]