场效应管(MOSFET) - IRF640N-200V-18A-N-Channel
2020-03-30 15:41:06
冯必正
175
名称:场效应管(MOSFET) - IRF640N-200V-18A-N-Channel
IRF640属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF640为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。
TO-220封装的IRF640普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和低成本的TO-220封装,使IRF640得到业内的普遍认可。D2PAK封装的 IRF640适用于贴片安装,比起现有的任何其他贴片封装,可说是功率最高,导通阻抗最低。IRF640的D2PAK封装可适应高强度电流的应用。IRF640的TO-262则适用于低端通孔安装。
附件:
场效应管(MOSFET) - IRF640N-200V-18A-N-Channel.pdf
-
MOSFET - N-Channel - Alpha & Omega - AONY36352 - 30V,Q1(Id=49A,5.3-9.1mΩ),Q2(Id=85A,2-2.5mΩ),DFN-6X5mm[2022-03-31 22:54:42]
-
场效应管(MOSFET) - IRFR320-400V-4.1A-N-Channel[2020-03-30 16:27:18]
-
PWM式DC-to-DC降压IC - NB681AGD-Z(丝印:AQP) - Input=4.5V-28V,Output=6.5A,IMVP8,QFN13 2x3mm[2022-07-06 00:31:07]
-
MOSFET - Alpha & Omega-AO4468-30V-11A-N-Channel[2020-03-19 16:36:14]