MOSFET - VISHAY - SiC634-28V-50A-PWM_MOSFET
2021-06-02 11:38:56
冯必正
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名称：MOSFET - VISHAY - SiC634-28V-50A-PWM_MOSFET
封装：MLP 5mm X 5mm
SiC634是集成功率级解决方案，针对同步降压应用进行了优化，以提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC634采用Vishay专有的5毫米x 5毫米MLP封装，使稳压器设计能够在每相提供高达50 A的连续电流。
内部功率MOSFETs利用Vishay最先进的第四代沟槽场效应晶体管技术，提供行业基准性能，显著降低开关和传导损耗。
SiC634集成了先进的MOSFET栅极驱动集成电路，具有高电流驱动能力、自适应死区控制、集成自举肖特基二极管和零电流检测功能，可提高轻负载效率。
该驱动器还兼容各种脉宽调制控制器，支持三态脉宽调制和5 V脉宽调制逻辑。
用户可选择的二极管仿真模式(ZCD EN#)包括在内，以改善轻负载性能。该设备还支持PS4模式，以降低系统在待机状态下运行时的功耗。
附件：
MOSFET - VISHAY - SiC634-28V-50A-PWM_MOSFET-DataSheet.pdf
图一：MOSFET - VISHAY - SiC634-28V-50A-PWM_MOSFET - 简介
图二：MOSFET - VISHAY - SiC634-28V-50A-PWM_MOSFET - 引脚定义