场效应管(MOSFET) - IRF730-400V-5.5A-N-Channel
2019-04-19 15:24:37
冯必正
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名称：场效应管(MOSFET) - IRF730-400V-5.5A-N-Channel
IRF730属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF730为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。
TO-220AB封装的IRF730普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF730得到业内的普遍认可。SMD-220封装的IRF730适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。IRF730的SMD-220封装可适应高强度电流的应用。
附件：
IRF730.pdf
| IRF730 参数 | |||
| IRF730 基本参数 | |||
| VDS | 400 V | ||
| ID @25℃ | 5.5 A | ||
| RDS(on) | 1.0 mΩ | ||
| IRF730 其他特性 | |||
| FET极性 | N型沟道 | ||
| Qg (Max.)(nC) | 38 nC | ||
| IRF730 封装与引脚 | |||
| TO-220, TO-263, TO-262 | |||