场效应管(MOSFET)

场效应管(MOSFET) - IRF730-400V-5.5A-N-Channel

2019-04-19 15:24:37 冯必正 116

名称:场效应管(MOSFET) - IRF730-400V-5.5A-N-Channel


       IRF730属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF730为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。

  TO-220AB封装的IRF730普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和低成本的TO-220封装,使IRF730得到业内的普遍认可。SMD-220封装的IRF730适用于贴片安装,比起现有的任何其他贴片封装,可说是功率最高,导通阻抗最低。IRF730的SMD-220封装可适应高强度电流的应用。


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IRF730 参数
IRF730 基本参数
VDS
400 V
ID @25℃
5.5 A
RDS(on)
1.0 mΩ
IRF730 其他特性
FET极性
N型沟道
Qg (Max.)(nC)
38 nC
IRF730 封装与引脚
TO-220, TO-263, TO-262