名称:充电管理芯片 - BQ24738H BQ24738H附件:充电管理芯片 - BQ24738H - 中文引脚定义.doc附件:充电管理芯片 - BQ24738H - 充放电电路讲解.pdf
2021-05-30 18:55:19 冯必正 130
名称:显卡核心供电管理芯片-RT8813DGQW-WQFN-24L 4x4封装:WQFN-24L 4x4丝印:型号:4E=,生产日期:YMDNN RT8813D是一款3/2/1相同步降压脉宽调制控制器,针对高性能图形微处理器和计算机应用进行了优化。该集成电路在WQFN-24L 4x4封装中集成了一个恒定导通时间(COT)脉宽调制控制器、两个带内部自举二极管的MOSFET驱动器,以及通道
2021-05-19 09:54:06 冯必正 777
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR,是一种大功率电器元件,也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中,可作为大功率驱动器件,实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。 可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅,简称TRIAC。双向可
2021-02-07 15:38:50 冯必正 99
名称:显存供电管理芯片-两相 - 1.35V - RT8816A - WQFN-20L 3x3封装:WQFN-20L 3x3丝印:型号:7J=,生产日期:YMDNN RT8816A是一款2/1相同步降压脉宽调制控制器,针对高性能图形微处理器和计算机应用进行了优化。该集成电路在WQFN-20L 3×3封装中集成了一个恒定导通时间(COT)脉宽调制控制器、两个带内部自举二极管的MOSFET
2020-10-13 10:13:53 冯必正 1414
名称:MOSFET - UBIQ - QM3006M3-30V-10A-N-Channel-DFN8 QM3006M3是最高性能的沟槽N-ch MOSFETs,具有极高的单元密度,为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。 QM3006M3符合RoHS和绿色产品要求,100% EAS保证,全功能可靠性得到批准。附件:MOSFET - UBIQ - QM3006M
2020-10-11 16:24:18 冯必正 234
名称:MOSFET - UBIQ - QM3004M3-30V-9A-N-Channel-DFN8 QM3004M3是最高性能的沟槽N-ch MOSFETs,具有极高的单元密度,为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。 QM3004M3符合RoHS和绿色产品要求,100% EAS保证,全功能可靠性得到批准。附件:MOSFET - UBIQ - QM3004M3-30V
2020-10-11 16:20:21 冯必正 217
名称:完整的DDR内存电源控制器 - Richtek-RT8231BGQW-WQFN-20 3x3 RT8231A/B为以下设备提供完整的电源DDR2/DDR3/DDR3L/LPDDR3/DDR4存储系统。它集成同步脉宽调制降压控制器和1.5A吸/源跟踪线性调节器和缓冲低电平噪声参考。 脉宽调制控制器提供低静态电流,高效率、出色的瞬态响应和高DC降压所需的输出精度产生低压芯
2020-10-03 00:05:26 冯必正 615
名称:MOSFET - UBIQ - QM3016D-30V-68A-N-Channel-TO-252 QM3016D是最高性能的沟槽N-ch MOSFETs,具有极高的单元密度,为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。 QM3016D符合RoHS和绿色产品要求,100% EAS保证,全功能可靠性得到批准。附件:MOSFET - UBIQ - QM3016D-30V-
2020-10-02 14:07:34 冯必正 153